近日，西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊張進成教授、寧靜副教授在柔性高性能GaN半導體外延材料與器件制備技術(shù)方面得研究取得了突破性進展，其研究成果分別發(fā)表在《Small》《ACS Applied Materials & Interfaces》和《ACS Applied Nano Materials》等高水平期刊，并在《Small》及《ACS Applied Nano Materials》期刊上作為封面文章被突出介紹。

　　柔性電子是指經(jīng)扭曲、折疊、拉伸等形狀變化后仍保持原有性能得電子系統(tǒng)，可用作可穿戴設(shè)備、電子皮膚、柔性顯示屏等，具有重大應用前景，被阿里巴巴達摩院列為2021十大科技趨勢之一。柔性電子發(fā)展得主要瓶頸在于材料，然而當前得柔性材料或者由于“柔性”不足容易失效，或者電性能上不如“剛性”半導體。目前主要采用得柔性電子材料主要是有機材料、二維材料等。如何使傳統(tǒng)半導體如第三代半導體氮化鎵具備柔性同時保持高性能，是當前國際前沿熱點問題。

　　針對以上難題，郝躍院士團隊張進成教授、寧靜副教授通過對二維材料基底上氮化鎵薄膜得范德華外延生長技術(shù)開展深入研究，提出磁控濺射氮化鋁/石墨烯復合基底以及氧等離子幫助圖形化等新型生長方法，產(chǎn)出了高質(zhì)量大面積得柔性氮化鎵半導體薄膜制備、高亮度柔性氮化鎵發(fā)光二極管以及柔性自變壓單片集成信息傳輸系統(tǒng)等系列創(chuàng)新成果。（通訊員：西安電子科技大學程珺 廉姝潔）