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華為公開“芯片封裝組件”相關(guān)專利_可使芯片得到

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2021-11-29 22:07:08    作者:微生靖筱    瀏覽次數(shù):57
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IT之家 11 月 29 日消息,華為技術(shù)有限公司在近日公開了“芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝組件得制作方法”專利,公開號為 CN113707623A。企查查專利摘要顯示,本申請公開了一種芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝

IT之家 11 月 29 日消息,華為技術(shù)有限公司在近日公開了“芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝組件得制作方法”專利,公開號為 CN113707623A。

企查查專利摘要顯示,本申請公開了一種芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝組件得制作方法。

芯片封裝組件包括封裝基板、芯片和散熱部,封裝基板包括上導(dǎo)電層、下導(dǎo)電層和連接在上導(dǎo)電層和下導(dǎo)電層之間得導(dǎo)電部;芯片包括相背設(shè)置得正面電極和背面電極,芯片內(nèi)嵌在封裝基板內(nèi),導(dǎo)電部包圍芯片,正面電極與下導(dǎo)電層連接,背面電極與上導(dǎo)電層連接;散熱部連接于上導(dǎo)電層遠(yuǎn)離芯片得表面;上導(dǎo)電層、下導(dǎo)電層和導(dǎo)電部均具導(dǎo)熱性能。

本申請通過設(shè)置芯片與封裝基板得上導(dǎo)電層以及下導(dǎo)電層連接,從而芯片產(chǎn)生得熱量可進(jìn)行雙向傳導(dǎo)散熱,并在上導(dǎo)電層上設(shè)置散熱部,使得芯片封裝組件能夠達(dá)到更優(yōu)得散熱效果。

IT之家了解到,當(dāng)前,電子設(shè)備越來越輕薄,芯片封裝組件得集成度越來越高,存在著較為嚴(yán)重得散熱問題,芯片無法得到有效散熱得話,會有一定得安全隱患,華為這項專利可以較好得解決部分散熱問題。

 
(文/微生靖筱)
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