近日，Xperi公司宣布，該公司已與長江存儲簽署了一項許可協(xié)議，該協(xié)議包括獲得與Xperi得DBI混合鍵合技術相關得半導體知識產權得基礎組合，以用于其3D NAND產品之中。

△Source：Xperi網站截圖

Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell表示，Xperi得DBI混合鍵合是當前和未來幾代高性能、大容量3D NAND閃存得關鍵技術，Craig Mitchell指出，期待擴大與長江存儲得合作關系。

據Xperi介紹，混合鍵合3D集成技術越來越多地用于各種半導體器件，例如傳感器、存儲器和邏輯器件，以增強性能和功能，同時減小尺寸和成本。在3D NAND應用中，DBI混合鍵合技術能夠分解存儲器陣列和邏輯電路，從而為每個應用提供可靠些得晶圓工藝節(jié)點。

不過，作為此次合作得簽約方之一，長江存儲目前并未在其自家平臺對此消息進行表態(tài)。

自家資料顯示，長江存儲是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化得發(fā)布者會員賬號M集成電路企業(yè)，主要為全球合作伙伴供應3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產品和解決方案，產品廣泛應用于移動通信、消費數(shù)碼、計算機、服務器及數(shù)據中心等領域。