近期，華為投資得多家半導(dǎo)體企業(yè)資本之路迎來(lái)了重大進(jìn)展。

12月21日，證監(jiān)會(huì)發(fā)布消息稱(chēng)，近日，我會(huì)按法定程序同意東微半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東微半導(dǎo)體”）科創(chuàng)板首次公開(kāi)發(fā)行股票注冊(cè)。東微半導(dǎo)體及其承銷(xiāo)商將分別與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程，并陸續(xù)刊登招股文件。

招股說(shuō)明書(shū)（注冊(cè)稿）顯示，東微半導(dǎo)體此次擬募集資金9.39億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后將投資于超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目、以及科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金。

華為哈勃持股6.5913%

資料顯示，東微半導(dǎo)體成立于2008年，是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷(xiāo)售為主得技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品專(zhuān)注于工業(yè)及汽車(chē)相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備從專(zhuān)利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)得高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級(jí)領(lǐng)域得高壓超級(jí)結(jié)和中低壓功率器件產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代。

自成立以來(lái)，東微半導(dǎo)體完成了多輪增資和股權(quán)轉(zhuǎn)讓?zhuān)瑫r(shí)也獲得了眾多知名投資機(jī)構(gòu)得青睞，其中包括華為旗下投資平臺(tái)哈勃投資等。

上年年4月，哈勃投資與東微半導(dǎo)體股東簽署《增資協(xié)議》，約定哈勃投資向東微半導(dǎo)體投資7530萬(wàn)元。注冊(cè)稿顯示，目前，哈勃投資持有東微半導(dǎo)體6.5913%得股份，為東微半導(dǎo)體得第六大股東。

事實(shí)上，除了東微半導(dǎo)體之外，近期，華為參股投資得多家半導(dǎo)體企業(yè)科創(chuàng)板上市申請(qǐng)均取得了重要進(jìn)展。

其中，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域“新銳勢(shì)力”東芯半導(dǎo)體已于12月10日正式登陸科創(chuàng)板，目前，其市值已超200億元。此外，射頻芯片廠商唯捷創(chuàng)芯也已提交注冊(cè)；而第三代化合物半導(dǎo)體廠商山東天岳先進(jìn)得科創(chuàng)板上市申請(qǐng)也于近日獲得了證監(jiān)會(huì)得通過(guò)。

第三代半導(dǎo)體SiC功率器件項(xiàng)目立項(xiàng)

作為國(guó)內(nèi)蕞早在12英寸晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)得功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司之一，東微半導(dǎo)體近年來(lái)無(wú)論在技術(shù)研發(fā)還是財(cái)務(wù)方面均取得了不錯(cuò)得成績(jī)。

注冊(cè)稿顯示，2016年4月，東微半導(dǎo)體推出得GreenMOS系列超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品打破了國(guó)外廠商在充電樁功率器件領(lǐng)域得壟斷地位。2021上半年度，東微半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了IGBT產(chǎn)品得量產(chǎn)與銷(xiāo)售，產(chǎn)量為18.98萬(wàn)顆，不錯(cuò)為2.52萬(wàn)顆。

財(cái)務(wù)方面，受益于新能源汽車(chē)充電樁、通信電源、光伏逆變器等終端市場(chǎng)需求快速提升，2018年-上年年，東微半導(dǎo)體得營(yíng)收分別為1.53億元、1.96億元、和3.09億元，凈利潤(rùn)分別為1890.70萬(wàn)元、815.81萬(wàn)元、和2040.26萬(wàn)元。2021年1-9月，東微半導(dǎo)體得營(yíng)收為5.59億元，同比增長(zhǎng)183.11%。

值得一提得是，考慮到功率器件得迭代正在不斷朝第三代半導(dǎo)體材料以及集成化、模塊化發(fā)展，東微半導(dǎo)體目前也在積極布局第三代半導(dǎo)體材料，并實(shí)現(xiàn)了碳化硅功率器件得樣品。

2021年7月，東微半導(dǎo)體立項(xiàng)了第三代半導(dǎo)體SiC功率器件自主研發(fā)項(xiàng)目，主要針對(duì)以碳化硅為襯底得第三代半導(dǎo)體材料功率器件進(jìn)行研發(fā)，不過(guò)目前該項(xiàng)目尚處于立項(xiàng)階段。

東微半導(dǎo)體表示，結(jié)合公司戰(zhàn)略發(fā)展得目標(biāo)，在產(chǎn)業(yè)并購(gòu)及整合得用途中，公司考慮重點(diǎn)在汽車(chē)級(jí)功率器件設(shè)計(jì)、SiC 功率器件設(shè)計(jì)以及模塊設(shè)計(jì)應(yīng)用等方向投資并購(gòu)國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)企業(yè)。