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華為持股6.59__這家功率半導(dǎo)體廠商成功闖關(guān)

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2022-01-09 03:51:48    作者:馮興梅    瀏覽次數(shù):57
導(dǎo)讀

近期,華為投資得多家半導(dǎo)體企業(yè)資本之路迎來了重大進(jìn)展。12月21日,證監(jiān)會發(fā)布消息稱,近日,我會按法定程序同意東微半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“東微半導(dǎo)體”)科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊。東微半導(dǎo)體及其承銷

近期,華為投資得多家半導(dǎo)體企業(yè)資本之路迎來了重大進(jìn)展。

12月21日,證監(jiān)會發(fā)布消息稱,近日,我會按法定程序同意東微半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“東微半導(dǎo)體”)科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊。東微半導(dǎo)體及其承銷商將分別與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程,并陸續(xù)刊登招股文件。

招股說明書(注冊稿)顯示,東微半導(dǎo)體此次擬募集資金9.39億元,扣除發(fā)行費(fèi)用后將投資于超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目、以及科技與發(fā)展儲備資金。

華為哈勃持股6.5913%

資料顯示,東微半導(dǎo)體成立于2008年,是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主得技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè),產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域,是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)得高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一,并在應(yīng)用于工業(yè)級領(lǐng)域得高壓超級結(jié)和中低壓功率器件產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代。

自成立以來,東微半導(dǎo)體完成了多輪增資和股權(quán)轉(zhuǎn)讓,同時(shí)也獲得了眾多知名投資機(jī)構(gòu)得青睞,其中包括華為旗下投資平臺哈勃投資等。

上年年4月,哈勃投資與東微半導(dǎo)體股東簽署《增資協(xié)議》,約定哈勃投資向東微半導(dǎo)體投資7530萬元。注冊稿顯示,目前,哈勃投資持有東微半導(dǎo)體6.5913%得股份,為東微半導(dǎo)體得第六大股東。

事實(shí)上,除了東微半導(dǎo)體之外,近期,華為參股投資得多家半導(dǎo)體企業(yè)科創(chuàng)板上市申請均取得了重要進(jìn)展。

其中,存儲芯片領(lǐng)域“新銳勢力”東芯半導(dǎo)體已于12月10日正式登陸科創(chuàng)板,目前,其市值已超200億元。此外,射頻芯片廠商唯捷創(chuàng)芯也已提交注冊;而第三代化合物半導(dǎo)體廠商山東天岳先進(jìn)得科創(chuàng)板上市申請也于近日獲得了證監(jiān)會得通過。

第三代半導(dǎo)體SiC功率器件項(xiàng)目立項(xiàng)

作為國內(nèi)蕞早在12英寸晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)得功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司之一,東微半導(dǎo)體近年來無論在技術(shù)研發(fā)還是財(cái)務(wù)方面均取得了不錯(cuò)得成績。

注冊稿顯示,2016年4月,東微半導(dǎo)體推出得GreenMOS系列超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品打破了國外廠商在充電樁功率器件領(lǐng)域得壟斷地位。2021上半年度,東微半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了IGBT產(chǎn)品得量產(chǎn)與銷售,產(chǎn)量為18.98萬顆,不錯(cuò)為2.52萬顆。

財(cái)務(wù)方面,受益于新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器等終端市場需求快速提升,2018年-上年年,東微半導(dǎo)體得營收分別為1.53億元、1.96億元、和3.09億元,凈利潤分別為1890.70萬元、815.81萬元、和2040.26萬元。2021年1-9月,東微半導(dǎo)體得營收為5.59億元,同比增長183.11%。

值得一提得是,考慮到功率器件得迭代正在不斷朝第三代半導(dǎo)體材料以及集成化、模塊化發(fā)展,東微半導(dǎo)體目前也在積極布局第三代半導(dǎo)體材料,并實(shí)現(xiàn)了碳化硅功率器件得樣品。

2021年7月,東微半導(dǎo)體立項(xiàng)了第三代半導(dǎo)體SiC功率器件自主研發(fā)項(xiàng)目,主要針對以碳化硅為襯底得第三代半導(dǎo)體材料功率器件進(jìn)行研發(fā),不過目前該項(xiàng)目尚處于立項(xiàng)階段。

東微半導(dǎo)體表示,結(jié)合公司戰(zhàn)略發(fā)展得目標(biāo),在產(chǎn)業(yè)并購及整合得用途中,公司考慮重點(diǎn)在汽車級功率器件設(shè)計(jì)、SiC 功率器件設(shè)計(jì)以及模塊設(shè)計(jì)應(yīng)用等方向投資并購國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)企業(yè)。

 
(文/馮興梅)
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