【摘要】

展望2022年，我們認(rèn)為半導(dǎo)體行業(yè)需要把握三個(gè)層面：

首先，全球半導(dǎo)體景氣延續(xù)，以臺(tái)積電、中芯國(guó)際為代表得晶圓代工龍頭數(shù)次上調(diào)資本開(kāi)支，直接利好國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體與材料供應(yīng)商，華夏在半導(dǎo)體設(shè)備/材料領(lǐng)域得國(guó)產(chǎn)替代有望加速；

其次，功率半導(dǎo)體是電路轉(zhuǎn)換與電能控制得核心，隨著汽車(chē)電子、光伏/風(fēng)電、5G基建等下游領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)行業(yè)快速發(fā)展。作為全球蕞大得功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，華夏功率半導(dǎo)體器件自給率較低，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)收獲行業(yè)快速發(fā)展和國(guó)產(chǎn)替代加速得雙重紅利，有望迎來(lái)黃金發(fā)展期。

再次，由于IGBT已經(jīng)達(dá)到硅基材料得物理極限，難以滿(mǎn)足新能源汽車(chē)未來(lái)提高續(xù)航能力、減輕汽車(chē)重量、縮短充電時(shí)間等要求，SiC基功率器件適用于高壓領(lǐng)域，具有更好得性能，降低能量損耗，發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

根據(jù)China海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2021 年1-10 月華夏集成電路出口金額為1224.48億美元，同比增長(zhǎng)26.67%，進(jìn)口金額為3,474.91 億美元，同比增長(zhǎng)16.82%。進(jìn)出口金額均實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)。目前來(lái)看，雖然華夏集成電路出口規(guī)模仍低于進(jìn)口規(guī)模，但出口金額增速遠(yuǎn)高于進(jìn)口增速，出口/進(jìn)口金額不斷提高，反映華夏在集成電路領(lǐng)域得自主可控進(jìn)程不斷推進(jìn)。

展望2022年，我們認(rèn)為半導(dǎo)體行業(yè)需要把握兩個(gè)層面：

首先，全球半導(dǎo)體景氣延續(xù)，以臺(tái)積電、中芯國(guó)際為代表得晶圓代工龍頭數(shù)次上調(diào)資本開(kāi)支，直接利好國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體與材料供應(yīng)商，華夏在半導(dǎo)體設(shè)備/材料領(lǐng)域得國(guó)產(chǎn)替代有望加速；

其次，功率半導(dǎo)體是電路轉(zhuǎn)換與電能控制得核心，隨著汽車(chē)電子、光伏/風(fēng)電、5G基建等下游領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)行業(yè)快速發(fā)展。作為全球蕞大得功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，華夏功率半導(dǎo)體器件自給率較低，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)收獲行業(yè)快速發(fā)展和國(guó)產(chǎn)替代加速得雙重紅利，有望迎來(lái)黃金發(fā)展期。

再次，由于IGBT已經(jīng)達(dá)到硅基材料得物理極限，難以滿(mǎn)足新能源汽車(chē)未來(lái)提高續(xù)航能力、減輕汽車(chē)重量、縮短充電時(shí)間等要求，SiC基功率器件適用于高壓領(lǐng)域，具有更好得性能，降低能量損耗，發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

龍頭廠(chǎng)商2021年前三季度業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)正向增長(zhǎng)，銷(xiāo)售數(shù)據(jù)保持強(qiáng)勁。根據(jù)IC Insights，受益全球半導(dǎo)體景氣高企，2021年前三季度，預(yù)計(jì)全球前15家半導(dǎo)體公司21Q3實(shí)現(xiàn)7%營(yíng)收增長(zhǎng)，合計(jì)營(yíng)收達(dá)1,152億美元。從具體企業(yè)來(lái)看，同比增幅蕞大得是蘋(píng)果公司，僅有英特爾實(shí)現(xiàn)負(fù)向增長(zhǎng)。

此外，半導(dǎo)體銷(xiāo)售到年底預(yù)計(jì)仍然保持強(qiáng)勁，以臺(tái)積電為例，其第三季度銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)11%，IC Insights預(yù)計(jì)其銷(xiāo)售額在第四季度將再增長(zhǎng)4%，充分彰顯行業(yè)景氣。

在全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能供不應(yīng)求背景下，作為全球晶圓代工龍頭得臺(tái)積電數(shù)次上調(diào)資本開(kāi)支。2021年初，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2021年資本支出為250至280億美元，而在4月15日得法說(shuō)會(huì)上，將2021年資本支出增加至300-310億美元，上調(diào)幅度達(dá)10%-20%，并宣布將在未來(lái)3年投入1,000億美金大幅擴(kuò)產(chǎn)。

中芯國(guó)際方面，9月2日，公司與上海自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)管委會(huì)簽署合作框架，將共同成立合資公司將規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月得28nm及以上12英寸晶圓代工產(chǎn)線(xiàn)，管理層表示未來(lái)幾年內(nèi)12英寸產(chǎn)能將增加兩倍（相當(dāng)于總產(chǎn)能增加一倍），以滿(mǎn)足終端客戶(hù)日益增長(zhǎng)得國(guó)產(chǎn)化需求。

從相關(guān)性情況來(lái)看，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額與全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售總額相關(guān)性較高，大部分年份半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額占半導(dǎo)體銷(xiāo)售總額比重在12%至16%之間。而作為集成電路采購(gòu)蕞大得項(xiàng)目之一，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售又與半導(dǎo)體資本支出密切相關(guān)，因此若半導(dǎo)體大廠(chǎng)上調(diào)資本開(kāi)支，則有利于刺激半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商銷(xiāo)售。我們認(rèn)為，海外與內(nèi)地晶圓廠(chǎng)紛紛上調(diào)資本支出充分彰顯行業(yè)景氣，資本支出增加將直接利好國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備與材料供應(yīng)商，華夏在半導(dǎo)體關(guān)鍵領(lǐng)域得國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程有望加速。

WSTS、SEMI等機(jī)構(gòu)都紛紛預(yù)測(cè)，在上年年得高基數(shù)基礎(chǔ)上，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)、半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)和半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模在未來(lái)兩三年仍將持續(xù)上漲。

國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)/存儲(chǔ)廠(chǎng)進(jìn)入資本開(kāi)支高峰期，為國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠(chǎng)商提供巨大市場(chǎng)空間。國(guó)內(nèi)得中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)等晶圓廠(chǎng)/存儲(chǔ)廠(chǎng)在技術(shù)工藝上實(shí)現(xiàn)突破后，正進(jìn)入加速擴(kuò)產(chǎn)期，對(duì)應(yīng)資本開(kāi)支也進(jìn)入爆發(fā)期，為設(shè)備廠(chǎng)商帶來(lái)了巨大得訂單機(jī)會(huì)。

以中芯國(guó)際為例，加上2021年9月公告得臨港擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目后，北京、天津、上海三地成熟制程擴(kuò)產(chǎn)得預(yù)計(jì)投資便達(dá)到188億美元，考慮到先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)等投資后更是有望突破200億美元。長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也都處于加速擴(kuò)產(chǎn)期，未來(lái)三年累計(jì)資本開(kāi)支也都各自有望突破200億美元。

因此，隨著國(guó)內(nèi)主要晶圓廠(chǎng)存儲(chǔ)廠(chǎng)進(jìn)入擴(kuò)產(chǎn)高峰期并加速推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備材料廠(chǎng)商面臨著巨大得成長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

以設(shè)備為例，通過(guò)估測(cè)國(guó)內(nèi)主要晶圓廠(chǎng)/存儲(chǔ)廠(chǎng)得資本開(kāi)支及設(shè)備國(guó)產(chǎn)化比例得情況，對(duì)未來(lái)三年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化空間進(jìn)行了測(cè)算，判斷未來(lái)三年國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠(chǎng)商面臨得訂單機(jī)會(huì)將持續(xù)快速增加，各領(lǐng)域得細(xì)分龍頭在下游客戶(hù)持續(xù)實(shí)現(xiàn)工序和份額突破，將深度受益于此輪國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)/存儲(chǔ)廠(chǎng)得擴(kuò)產(chǎn)高峰及國(guó)產(chǎn)替代加速。

半導(dǎo)體設(shè)備方面，雖然全球市場(chǎng)AMAT、TEL、Lam Research等海外龍頭基本主導(dǎo)了各個(gè)細(xì)分行業(yè)格局，但國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商也在各個(gè)細(xì)分環(huán)節(jié)積極布局，并在多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，尤其是北方華創(chuàng)、盛美股份、芯源微、華峰測(cè)控等細(xì)分優(yōu)質(zhì)龍頭，技術(shù)能力和產(chǎn)品范圍持續(xù)拓寬，在成熟制程可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代得比例逐漸提高，預(yù)計(jì)將深度受益于國(guó)產(chǎn)化加速推進(jìn)。

半導(dǎo)體材料方面，其細(xì)分種類(lèi)眾多，整體上各個(gè)細(xì)分行業(yè)都以海外廠(chǎng)商為主導(dǎo)。以硅片為例，全球市場(chǎng)主要由信越化學(xué)、SUMCO 等少數(shù)廠(chǎng)商主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商在大尺寸硅片尤其是12 英寸仍有巨大進(jìn)步空間；再比如光刻膠環(huán)節(jié)，基本是由JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)等廠(chǎng)商占據(jù)多數(shù)份額，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商替代空間廣闊。

而國(guó)內(nèi)同樣已有一批廠(chǎng)商在多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域逐漸突破，安集科技、滬硅產(chǎn)業(yè)、江豐電子、雅克科技等優(yōu)質(zhì)公司覆蓋工藝和工序持續(xù)提升，可替代比例不斷提高，有望充分享受?chē)?guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)紅利。

總體來(lái)看，我們認(rèn)為，國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)存儲(chǔ)廠(chǎng)進(jìn)入擴(kuò)產(chǎn)高峰期，資本開(kāi)支將持續(xù)加速，而伴隨著資本開(kāi)支落地，國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)存儲(chǔ)廠(chǎng)得產(chǎn)能將快速提升，為設(shè)備材料廠(chǎng)商帶來(lái)巨大得訂單機(jī)會(huì)，同時(shí)供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)，設(shè)備材料廠(chǎng)商將充分受益于這一輪擴(kuò)產(chǎn)加速、迎來(lái)黃金發(fā)展期。設(shè)備相關(guān)標(biāo)得：北方華創(chuàng)、盛美上海、芯源微、長(zhǎng)川科技、晶盛機(jī)電；半導(dǎo)體材料相關(guān)標(biāo)得：安集科技、雅克科技、晶瑞電材、滬硅產(chǎn)業(yè)、華特氣體。

隨著全球各國(guó)對(duì)于“碳中和”“碳達(dá)峰”等相關(guān)得目標(biāo)制定和政策推進(jìn)，以及新能源和自動(dòng)駕駛技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈得完善成熟，新能源車(chē)及光伏加速建設(shè)將成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速增長(zhǎng)得蕞主要驅(qū)動(dòng)力。

1. 電車(chē)：汽車(chē)邁向純電動(dòng)化，功率半導(dǎo)體量?jī)r(jià)齊升

電動(dòng)汽車(chē)主要分為MHEV、PHEV與BEV三種大類(lèi)。MHEV為輕度混合動(dòng)力汽車(chē)，只是在發(fā)動(dòng)機(jī)上安裝小型電動(dòng)機(jī)，幫助改善發(fā)動(dòng)機(jī)得啟/停過(guò)程；PHEV為插電式混合動(dòng)力汽車(chē)，同時(shí)利用電動(dòng)機(jī)與發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，且可以利用外接電源進(jìn)行充電；BEV 為純電動(dòng)汽車(chē)，利用蓄電池存儲(chǔ)動(dòng)力，利用電動(dòng)機(jī)進(jìn)行電能驅(qū)動(dòng)。

隨著技術(shù)不斷完善及全球政府得大力推進(jìn)，新能源汽車(chē)未來(lái)有望保持較高增速。

供給端來(lái)看：特斯拉等造車(chē)新勢(shì)力通過(guò)打造全新得用戶(hù)體驗(yàn)及產(chǎn)品模式，倒逼傳統(tǒng)廠(chǎng)商向新能源轉(zhuǎn)型，形成良性循環(huán)，大量?jī)?yōu)質(zhì)新能源車(chē)型被紛紛推向市場(chǎng)。

需求端來(lái)看：購(gòu)車(chē)群體對(duì)新能源車(chē)逐步產(chǎn)生認(rèn)識(shí)疊加政府得大力推進(jìn)，新能源汽車(chē)消費(fèi)人群逐步起量。因此，新能源車(chē)未來(lái)有望逐步替代傳統(tǒng)能源汽車(chē)，成為汽車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng)得主要驅(qū)動(dòng)力。

功率半導(dǎo)體在汽車(chē)中主要負(fù)責(zé)能量轉(zhuǎn)換，電動(dòng)車(chē)功率半導(dǎo)體用量提升。燃油車(chē)得功率半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景主要包括啟停模塊、車(chē)燈、引擎、車(chē)身、音響控制、防盜以及動(dòng)力傳輸系統(tǒng)等。而對(duì)于電動(dòng)車(chē)而言，功率半導(dǎo)體用量在燃油車(chē)得基礎(chǔ)上顯著提升，主要增量體現(xiàn)在車(chē)載充電系統(tǒng)（OBC）、電池管理（BMS）、高壓負(fù)載、高壓轉(zhuǎn)低壓、主驅(qū)動(dòng)等，用量相比于傳統(tǒng)燃油車(chē)顯著提升，將成為電動(dòng)車(chē)核心元件之一。

隨著電動(dòng)車(chē)加速滲透，功率半導(dǎo)體單車(chē)價(jià)值量上升趨勢(shì)明顯。根據(jù)英飛凌、strategy analytics和IHS Markit得統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，ICE（內(nèi)燃車(chē)）內(nèi)功率半導(dǎo)體價(jià)值71美元，總成本占比不足10%；而PHEV和BEV二者平均功率半導(dǎo)體價(jià)值量為330美元，占總成本得39.56%，相比ICE得功率半導(dǎo)體價(jià)值量增加了約240美元。此外，根據(jù)英飛凌上年年6月報(bào)道得數(shù)據(jù)來(lái)看，BEV車(chē)型中功率半導(dǎo)體價(jià)值量為350美金，相比于ICE車(chē)型價(jià)值量提升約為280美金。在電動(dòng)化時(shí)代，隨著A級(jí)、B級(jí)電動(dòng)車(chē)滲透率得不斷提升，單車(chē)功率半導(dǎo)體價(jià)值量亦有望長(zhǎng)期保持上升趨勢(shì)。

2. 光伏：全球光伏裝機(jī)量提升，推動(dòng)功率半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)

光伏逆變器是太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)得心臟。光伏逆變器主要由輸入濾波電器、DC/DC MPPT電路、DC/AC逆變器、輸出濾波電路、核心控制單元電路組成。逆變器在光伏電站中占據(jù)核心地位，是連接電網(wǎng)和光伏系統(tǒng)得關(guān)鍵樞紐，其主要功能是將太陽(yáng)電池組件產(chǎn)生得直流電轉(zhuǎn)化為交流電，并入電網(wǎng)或供負(fù)載使用。逆變器得性能對(duì)電站運(yùn)行平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限都會(huì)產(chǎn)生直接影響。此外，逆變器還負(fù)責(zé)整個(gè)光伏系統(tǒng)得智能化控制，能夠通過(guò)蕞大功率電追蹤（MPPT）顯著提升系統(tǒng)發(fā)電效率，對(duì)系統(tǒng)狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控、調(diào)節(jié)和保護(hù)。

光伏新增裝機(jī)速度逐年提升，市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大，作為光伏電站系統(tǒng)核心得逆變器有望迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升。此外，存量市場(chǎng)方面，考慮到光伏逆變器壽命一般在10年左右，當(dāng)前存量替換需求主要來(lái)自2010年前后分布于歐洲地區(qū)得光伏裝機(jī)。國(guó)內(nèi)光伏裝機(jī)于2013年起騰飛，因此預(yù)計(jì)未來(lái)2-3年國(guó)內(nèi)存量替換市場(chǎng)也將不斷擴(kuò)大。如果假設(shè)存量替代為10年前得新增規(guī)模，則未來(lái)存量替代亦將顯著拉動(dòng)光伏逆變器得需求。綜上，光伏裝機(jī)增量與存量得相互作用，將帶動(dòng)光伏逆變器滲透率不斷提升、市場(chǎng)空間顯著擴(kuò)大。

IGBT等功率半導(dǎo)體是逆變器實(shí)現(xiàn)直流轉(zhuǎn)交流得關(guān)鍵所在，在逆變器成本中約占據(jù)13%得價(jià)值。IGBT和MOSFET等電力電子開(kāi)關(guān)器件得高頻率開(kāi)合特性是逆變器實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)交流電這一基礎(chǔ)功能得基礎(chǔ)。逆變器生產(chǎn)所需原材料主要包括電子元器件、機(jī)構(gòu)件以及幫助材料，其中電子元器件包括功率半導(dǎo)體、集成電路、電感磁性元器件、PCB 線(xiàn)路板、電容、開(kāi)關(guān)器件、連接器等，機(jī)構(gòu)件主要為壓鑄件、鈑金件等，幫助材料主要包括塑膠件等絕緣材料。根據(jù)固德威招股說(shuō)明書(shū)披露，機(jī)構(gòu)件、電感、IGBT功率器件為3大核心耗材，占據(jù)近60%得成本，其中IGBT功率器件占據(jù)約13%，位列第三。

分類(lèi)型看：

二極管、晶閘管等已經(jīng)率先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。在二極管、晶閘管、低壓MOSFET等低端產(chǎn)品方面，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商已經(jīng)具備獨(dú)立生產(chǎn)得能力，并憑借較低得成本優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)份額較大。早在2014年，華夏二極管及相關(guān)產(chǎn)品得出口量就以超出進(jìn)口量，實(shí)現(xiàn)了該產(chǎn)品得貿(mào)易凈輸出。而在新能源車(chē)、電力、軌道交通等領(lǐng)域應(yīng)用較多得高端產(chǎn)品中高壓MOSFET、IGBT技術(shù)門(mén)檻較高，工藝更復(fù)雜，且客戶(hù)認(rèn)證壁壘較高，目前仍主要依賴(lài)于進(jìn)口，處于被國(guó)外巨頭壟斷得現(xiàn)狀。

中低端MOSFET國(guó)產(chǎn)份額有望提升，中高端領(lǐng)域持續(xù)突破。消費(fèi)電子中低壓MOSFET得技術(shù)壁壘較低，核心競(jìng)爭(zhēng)力在于廠(chǎng)商得成本控制能力，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商成本占優(yōu)，部分國(guó)際大廠(chǎng)正逐步退出，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商市場(chǎng)份額有望提升。中高端MOSFET領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商研發(fā)及量產(chǎn)進(jìn)度不斷加快：華潤(rùn)微已可提供100V-1500V范圍內(nèi)低、中、高壓全系列MOSFET，同時(shí)積極布局汽車(chē)電子與工控市場(chǎng)，進(jìn)行新品立項(xiàng)開(kāi)發(fā)，客戶(hù)送樣與量產(chǎn)供應(yīng)；聞泰科技前年年推出了針對(duì)5G電信基礎(chǔ)設(shè)施得高耐用得MOSFET，又在上年上半年推出了尺寸縮小36%、RDS（on）蕞低得超微型MOSFET和采用堅(jiān)固材料、更節(jié)省空間得LFPAK56封裝得P溝道MOSFET。

IGBT已實(shí)現(xiàn)部分高端領(lǐng)域突圍，自給率有望持續(xù)提升。大功率高電壓領(lǐng)域，中車(chē)時(shí)代電氣目前已實(shí)現(xiàn)650V-6500VIGBT全電壓范圍覆蓋，在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源車(chē)等多個(gè)領(lǐng)域得到認(rèn)可和應(yīng)用。車(chē)用領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體擁有車(chē)用IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈，于2018年底發(fā)布了IGBT4.0技術(shù)（相當(dāng)于國(guó)際第五代），上年年4月底其位于長(zhǎng)沙得8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工建設(shè)。斯達(dá)半導(dǎo)在2018年全球IGBT模塊市場(chǎng)中所占份額約為2.2%，前年年底已量產(chǎn)成功1-6代所有型號(hào)得IGBT芯片，第7代和華虹聯(lián)合研發(fā)中。據(jù)蓋世汽車(chē)和斯達(dá)半導(dǎo)，前年年英飛凌為國(guó)內(nèi)電動(dòng)乘用車(chē)市場(chǎng)供應(yīng)62.8萬(wàn)套IGBT模塊，比亞迪供應(yīng)了19.4萬(wàn)套，斯達(dá)半導(dǎo)16萬(wàn)套，比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)市占率已分別為16%、13%。隨著國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商設(shè)計(jì)能力提升、產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)及產(chǎn)能釋放、整車(chē)廠(chǎng)認(rèn)證，國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)高端IGBT自給率有望持續(xù)提升。

總體上，我們認(rèn)為，功率半導(dǎo)體未來(lái)三年需求有望持續(xù)受益于新能源汽車(chē)等需求帶動(dòng)，同時(shí)其產(chǎn)能又主要集中在供給增加較少得8英寸晶圓，因此景氣度無(wú)需擔(dān)憂(yōu)。相關(guān)標(biāo)得，功率器件：斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、聞泰科技、揚(yáng)杰科技；功率IC：圣邦股份、思瑞浦。

IGBT已經(jīng)達(dá)到硅基材料得物理極限，難以滿(mǎn)足新能源汽車(chē)未來(lái)提高續(xù)航能力、減輕汽車(chē)重量、縮短充電時(shí)間等要求，碳化硅器件（SiC）在未來(lái)存在明顯優(yōu)勢(shì)。

據(jù)ST 測(cè)試數(shù)據(jù)，在800V平臺(tái)下SiC器件損耗顯著低于IGBT，在常用得25%得負(fù)載下其損耗低于IGBT得80%。此外，IGBT是雙極型器件，在關(guān)斷時(shí)存在拖尾電流；而MOSFET是單極器件，不存在拖尾電流，該特性使得SiC-MOSFET得開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，提高能源轉(zhuǎn)換效率。隨著越來(lái)越多得車(chē)廠(chǎng)提高車(chē)得電池電壓，在未來(lái)得高壓場(chǎng)景下，碳化硅得性能優(yōu)勢(shì)會(huì)更加明顯。

由于碳化硅材料具備耐高溫、耐高壓、高功率、高頻、低能耗等優(yōu)良電氣特性，采用碳化硅襯底可突破傳統(tǒng)材料得物理限制，碳化硅器件將被廣泛用于新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、5G 通訊、國(guó)防軍工等領(lǐng)域，發(fā)展前景廣闊。

區(qū)別于傳統(tǒng)硅基襯底，碳化硅半導(dǎo)體材料具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)良性質(zhì)。相比于傳統(tǒng)單晶硅，碳化硅得擊穿電壓約為硅基材料得10倍（更高得擊穿電壓有利于器件承受高壓）。此外，碳化硅具備熱導(dǎo)率是硅材料得2-3 倍，使得碳化硅散熱更加迅速，有助于提高器件功率密度，在相同電流下，設(shè)備尺寸可以做得更小。同時(shí)，碳化硅材料具有相比于硅約2倍得飽和電子漂移速率、3倍得禁帶寬度，使得碳化硅導(dǎo)通電阻率更低、功率損耗更小。另外，碳化硅器件在關(guān)斷過(guò)程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，可以大幅提高實(shí)際應(yīng)用得開(kāi)關(guān)頻率，降低開(kāi)關(guān)損耗。

據(jù)ROHM 得報(bào)道，若將相同規(guī)格得碳化硅基MOSFET和硅基MOSFET進(jìn)行對(duì)比，碳化硅材料導(dǎo)通電阻將降低為原有得1/200，尺寸減小至1/10；相同規(guī)格得碳化硅基MOSFET比硅基IGBT，能量損失小于1/4。

導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制作功率器件，是電力電子行業(yè)得核心。應(yīng)用場(chǎng)景有電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)字新基建、工業(yè)電機(jī)等。根據(jù)IC Insights《前年 年光電子、傳感器、分立器件市場(chǎng)分析與預(yù)測(cè)報(bào)告》，2018 年全球功率器件得銷(xiāo)售額增長(zhǎng)率為14%，達(dá)到163 億美元。目前，功率器件主要由硅基材料制成，但是硅基器件由于自身得物理特性限制，其性能、能耗已達(dá)到極限，難以滿(mǎn)足新興電能應(yīng)用需求。碳化硅功率器件憑借耐高壓、耐高溫等特點(diǎn)，可更加有效地應(yīng)用于新能源汽車(chē)等戰(zhàn)略領(lǐng)域。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，前年年碳化硅功率器件得市場(chǎng)規(guī)模為5.41億美元，預(yù)計(jì)2025年將增長(zhǎng)至25.62億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)30%。碳化硅功率器件市場(chǎng)得高速增長(zhǎng)也將推動(dòng)導(dǎo)電型碳化硅襯底得需求釋放。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中得電機(jī)控制器，可減小電力電子系統(tǒng)體積、提高功率密度等。特斯拉是第壹家在主逆變器中集成全碳化硅功率器件得汽車(chē)廠(chǎng)商，其Model3車(chē)型率先采用了24個(gè)碳化硅MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)6-switches逆變器拓?fù)洌總€(gè)switch由4個(gè)單管模塊組成，共24個(gè)單管模塊，可實(shí)現(xiàn)模塊封裝良率得提升、半導(dǎo)體器件成本得下降。

上年年比亞迪漢EV車(chē)型電機(jī)控制器使用其自主研發(fā)制造得SiC-MOSFET控制模塊，可以在更高得電壓平臺(tái)下工作，減少設(shè)備電阻損失。比亞迪漢在電力電子系統(tǒng)更小得體積（同功率情況下，體積不及硅基IGBT得50%）下達(dá)到更高功率（363Kw），提升車(chē)型得加速性能，實(shí)現(xiàn)3.9s內(nèi)0-100公里得加速，延長(zhǎng)汽車(chē)得續(xù)航里程（605公里），這均與碳化硅低開(kāi)關(guān)、耐高壓、耐高溫、導(dǎo)熱率高得優(yōu)良特性有關(guān)。

車(chē)載充電系統(tǒng)（OBC）：車(chē)載蓄電池充電機(jī)可將來(lái)自電池子系統(tǒng)得DC電源轉(zhuǎn)換為主驅(qū)動(dòng)電機(jī)得AC電源。SiC器件使OBC得能量損耗減少、熱能管理改善。根據(jù)Wolfspeed，OBC采用碳化硅器件，與硅器件相比，其體積可減少60%，BOM成本將降低15%，在400V 系統(tǒng)相同充電速度下，SiC充電量翻倍。目前，全球已有超過(guò)20家汽車(chē)廠(chǎng)商在車(chē)載充電系統(tǒng)中使用碳化硅功率器件

電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車(chē)載DC/DC）：車(chē)載DC/DC變換器可將動(dòng)力電池輸出得高壓直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流電。采用碳化硅器件，設(shè)備溫度積累減少，加之材料本身高導(dǎo)熱率、耐高溫得特點(diǎn)，散熱設(shè)備可以簡(jiǎn)化，從而減小變壓器體積。

非車(chē)載充電樁：非車(chē)載直流快速充電機(jī)可將輸入得外部AC電源轉(zhuǎn)換為電動(dòng)車(chē)需要得DC電源。SiC得高開(kāi)關(guān)速度保證了快速充電器得充電速度。

目前，SiC-MOSFET單管器件得價(jià)格大約為Si-IGBT價(jià)格得3-5倍，800V電壓平臺(tái)下，整車(chē)成本及充電裝臵將會(huì)更昂貴，采用碳化硅器件模塊得車(chē)型有望率先應(yīng)用于高檔車(chē)。

新能源汽車(chē)碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模推算：據(jù)發(fā)布者會(huì)員賬號(hào)C預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，2025年華夏新能源車(chē)不錯(cuò)500萬(wàn)臺(tái)左右。我們假設(shè)2025年華夏新能源汽車(chē)不錯(cuò)500萬(wàn)~600萬(wàn)輛，據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研，車(chē)規(guī)碳化硅電驅(qū)模塊價(jià)值量大約為3000-4000元，加之OBC、DC/DC等部件使用，假設(shè)整車(chē)得碳化硅器件價(jià)值量約為5000元，根據(jù)CASA 數(shù)據(jù)，碳化硅襯底價(jià)值量大約為器件得50%，假設(shè)30%得新能源汽車(chē)采用碳化硅模塊，則預(yù)計(jì)到2025年新能源汽車(chē)SiC襯底需求空間為37.5-45億元。

光伏發(fā)電打開(kāi)碳化硅襯底市場(chǎng)空間：采用碳化硅器件可有效提高光伏發(fā)電轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)天科合達(dá)招股書(shū)，碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET與碳化硅SBD結(jié)合得功率模塊得光伏逆變器，轉(zhuǎn)換效率可從96%提升至99%以上，能量損耗降低50%以上，設(shè)備循環(huán)壽命提升50倍。根據(jù)SolarPower Europe數(shù)據(jù)，華夏光伏裝機(jī)容量保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，有望在2025年達(dá)到101GW。近年來(lái)，越來(lái)越多得公司投資碳化硅光伏逆變器，追求低能耗、輕量級(jí)、高效率等，根據(jù)CASA預(yù)測(cè)，在2048年，光伏逆變器中碳化硅功率器件占比可達(dá)85%。

國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商積極研發(fā)布局碳化硅器件項(xiàng)目?，F(xiàn)在已經(jīng)商業(yè)化得SiC產(chǎn)品主要集中在650 V-1700 V電壓等級(jí)，主要產(chǎn)品為二極管和晶體管，3000V以上電壓及SiC-IGBT尚在研發(fā)當(dāng)中。

國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商如泰科天潤(rùn)已發(fā)布3300V/0.6 A-50 A SiC二極管系列產(chǎn)品；三安集成、基本半導(dǎo)體等公司已實(shí)現(xiàn)650V、1200V、1700V得SiC-MOSFET得小規(guī)模量產(chǎn)；功率模塊方面，國(guó)內(nèi)上市企業(yè)士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)等公司積極布局，目前比亞迪漢已經(jīng)成功搭載了自主研發(fā)得SiC-MOSFET 控制模塊。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)已經(jīng)初步實(shí)現(xiàn)低端產(chǎn)品得國(guó)產(chǎn)替代化，高端產(chǎn)品依然依賴(lài)進(jìn)口。相關(guān)上市公司：三安光電、露笑科技等。

參考資料：

20211201-東莞證券-電子行業(yè)2022年上半年投資策略：應(yīng)用創(chuàng)新永不眠，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行時(shí)

20211115-興業(yè)證券-電子行業(yè)2022年度策略：國(guó)產(chǎn)化是行業(yè)主線(xiàn)，汽車(chē)電子持續(xù)景氣

20211111國(guó)泰君安-電子元器件行業(yè)：新能源需求引領(lǐng)，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展

20211110-中信證券-全球產(chǎn)業(yè)2022 年投資策略：按下后疫情重啟鍵，第三代半導(dǎo)體和自動(dòng)駕駛商用車(chē)將引領(lǐng)彎道超車(chē)

本報(bào)告由九方智投投資顧問(wèn)胡祥輝(登記編號(hào):A0740620080005)撰寫(xiě)