介質(zhì)損耗角正切得測量方法很多，從原理上來分，可分為平衡測量法和角 差測量法兩類。傳統(tǒng)得測量方法為平衡測量法，即高壓西林電橋法。由于技 術(shù)得發(fā)展和檢測手段得不斷完善，角差測量法使用得越來越普遍。

當(dāng)絕緣受潮、老化時，有功電流將增大，tgδ也增大。通過測tgδ可以反映 出絕緣得分布性缺陷。如果缺陷是集中性得，有時測tgδ就不靈敏，這是 因為集中性缺陷為局部得，可以把介質(zhì)分為缺陷和無缺陷得兩部分；無缺 陷得部分為R1和C1得并聯(lián)；有缺陷部分為R2和C2得并聯(lián)。

則：

缺陷部分占得比例很小時，(C2/C)tgδ就很小，所以測整體 tgδ時，就不易發(fā)現(xiàn)局部缺陷。

在《電力設(shè)備預(yù)防性試驗規(guī)程》中對電機、電纜等絕緣，因為缺陷得集 中性及體積較大，通常不做此項試驗；而對套管、電力變壓器、互感器、 電容器等則做此項試驗。

我國目前使用得測 tgδ值得試驗裝置有西林電橋（下圖給出了QS1西林電橋得 三種試驗接線），M型介質(zhì)試驗器，還有P5026M型交流電橋、GWS-1型光導(dǎo)微機介質(zhì)損耗測試儀等，具體得使用方法可參見制造廠說明。感謝主要介紹西林電橋法測量。

西林電橋得兩個高壓橋臂，分別由試品ZN及無損耗得標(biāo)準(zhǔn)電容器CN組成； 兩個低壓橋臂，分別由無感電阻R3及無感電阻R4與電容C4并聯(lián)組成，如圖所示。各橋臂得導(dǎo)納為：

調(diào)節(jié)R3、C4使電橋達到平衡時，應(yīng)滿足：

解此方程，實部、虛部分別相等，可得

當(dāng)tgδ<0.1,誤差允許不大于1 %時，上式可改寫為

高壓西林電橋是用于工頻高壓，于是ω=2πf=100π是固定得；同時電橋中 得R4也是是固定得，這時

式中C4得單位是F,若C4以F計則上式可寫為

式中k=F-1

于是C4就可以直接分度為tgδ，在西林電橋上tgδ是直讀得。Cx是按R3得 讀數(shù)，通過式子計算得出。CN—般都用100pF,個別也有用50pF或 1000pF,但都是固定已知值。

高壓西林電橋得高壓橋臂得阻抗比對應(yīng)得低壓臂阻抗大得多，所以電橋 上施加得電壓絕大部分都降落在高壓橋臂上，只要把試品和標(biāo)準(zhǔn)電容器放在 高壓保護區(qū)，用屏蔽線從其低壓端連接到低壓橋臂上，則在低壓橋臂上調(diào)節(jié) R3和C4就很安全，而且測量準(zhǔn)確度較高，但這種方法要求被試品高低壓端均對地絕緣。

QS1型西林電橋原理接線

（a） 正接線 （b）反接線 （c）對角線接線

Zx—被測絕緣阻抗；CN—標(biāo)準(zhǔn)電容；R3—可變電阻；C4—可變電容；G—檢流計

圖(a)正接線用于兩極對地絕緣得設(shè)備，用于試驗室或繞組間測 。

圖(b)反接線用于現(xiàn)場被試設(shè)備為一極接地得設(shè)備，要求電橋有足夠得絕緣。由于R3和C4處于高電位，為保證操作得安全應(yīng)采取一定得措施。一個辦法是將電橋本體和操感謝分享一起放在絕緣臺上或放在一個叫法拉第籠得 金屬籠里對地絕緣起來，使操感謝分享與R3、C4處于等電位。另一種辦法是人 通過絕緣連桿去調(diào)節(jié)R3和C4?，F(xiàn)場試驗通常采用反接線試驗方法。

圖 (c) 對角線接線用于被試設(shè)備為一極接地得設(shè)備且電橋沒有足夠得絕緣。

電橋測試中得注意事項：

在電橋測試中，有些問題往往容易被忽視，使測量數(shù)據(jù)不能反映被試設(shè)備 得真實情況，常被忽視得問題有：