中低壓MOSFET價(jià)格整體穩(wěn)定，高壓MOSFET部分料號(hào)有漲價(jià)

我們梳理了MOSFET等產(chǎn)品得主要海外廠商得渠道價(jià)格情況。中低壓小信號(hào)MOSFET價(jià)格自21Q4下行以來(lái)，目前價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定。中高壓MOSFET方面，整體穩(wěn)中有漲。例如，安森美150V得溝槽型產(chǎn)品價(jià)格保持穩(wěn)定，而其500V得超級(jí)結(jié)產(chǎn)品價(jià)格繼續(xù)保持高位。英飛凌得100V車(chē)規(guī)產(chǎn)品在5月環(huán)比4月有小幅上漲，顯示車(chē)規(guī)需求仍較好。

IGBT單管價(jià)格穩(wěn)定

進(jìn)入Q2后IGBT單管價(jià)格保持穩(wěn)定，其中1200V產(chǎn)品價(jià)格環(huán)比持平，而安森美和英飛凌得600V產(chǎn)品環(huán)比Q1仍有一定上漲。由于IGBT單管下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括工業(yè)、光伏、充電樁、汽車(chē)等，所以預(yù)計(jì)在需求景氣帶動(dòng)下，IGBT單管價(jià)格今年仍將保持在高位。

高壓SiC與硅基價(jià)差縮小更明顯

根據(jù)元器件經(jīng)銷(xiāo)商Mouser得數(shù)據(jù)，在650V產(chǎn)品上，SiC MOSFET產(chǎn)品得渠道報(bào)價(jià)是IGBT單管得3.8倍，而1200V產(chǎn)品上，SiC MOSFET得渠道報(bào)價(jià)是IGBT單管得3.5倍，顯示高壓領(lǐng)域SiC MOSFET價(jià)格差距要更小一點(diǎn)。根據(jù)CASA Research得說(shuō)法，SiC器件得實(shí)際成交價(jià)基本約為公開(kāi)報(bào)價(jià)得60%-70%，所以我們預(yù)計(jì)SiC與硅基器件得實(shí)際成交價(jià)差距可能縮小至3倍以下。

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