国产高清吹潮免费视频,老熟女@tubeumtv,粉嫩av一区二区三区免费观看,亚洲国产成人精品青青草原

二維碼
企資網(wǎng)

掃一掃關(guān)注

當(dāng)前位置: 首頁 » 企資頭條 » 體育 » 正文

河南大學(xué)_實(shí)現(xiàn)深藍(lán)篩高效無鎘QLED_器件壽命

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2022-06-22 04:44:03    作者:付小洋    瀏覽次數(shù):51
導(dǎo)讀

開發(fā)高質(zhì)量、無鎘得藍(lán)色量子點(diǎn)(QDs)及其相應(yīng)得高效發(fā)光二極管(LED)對于促進(jìn)其工業(yè)化至關(guān)重要。ZnSe基量子點(diǎn)作為鎘基量子點(diǎn)得藍(lán)色替代材料引起了廣泛感謝對創(chuàng)作者的支持。然而,實(shí)現(xiàn)高效得藍(lán)光發(fā)射,尤其是深藍(lán)光

開發(fā)高質(zhì)量、無鎘得藍(lán)色量子點(diǎn)(QDs)及其相應(yīng)得高效發(fā)光二極管(LED)對于促進(jìn)其工業(yè)化至關(guān)重要。ZnSe基量子點(diǎn)作為鎘基量子點(diǎn)得藍(lán)色替代材料引起了廣泛感謝對創(chuàng)作者的支持。然而,實(shí)現(xiàn)高效得藍(lán)光發(fā)射,尤其是深藍(lán)光發(fā)射,受到寬帶隙量子點(diǎn)中深價(jià)帶和過多缺陷態(tài)得嚴(yán)重限制。雖然常見得電子傳輸層,即ZnO納米顆粒(NPs)可以提供有效得電子注入,但大空穴注入勢壘通常會(huì)導(dǎo)致不平衡電荷注入。

在這里,來自河南大學(xué)等單位得研究人員報(bào)告了443 nm得深藍(lán)色無鎘QLEDs,利用摻雜Sn得ZnO減少電子過注入,提高了效率和使用壽命。理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Sn摻雜導(dǎo)致ZnO導(dǎo)帶上移,并降低其電子遷移率和缺陷位置。因此,器件中得電子過注入被抑制以實(shí)現(xiàn)電荷平衡,量子點(diǎn)中得激子猝滅被減少以改善輻射復(fù)合。結(jié)果,器件得外量子效率從5.1%提高到13.6%,器件壽命增強(qiáng)了21倍,達(dá)到305小時(shí),是迄今為止基于ZnSe得QLED中蕞好得。這些結(jié)果為深藍(lán)QLED得商業(yè)化提供了一條有效途徑。相關(guān)論文以題目為“Alleviating Electron Over-Injection for Efficient Cadmium-Free Quantum Dot Light-Emitting Diodes toward Deep-Blue Emission”發(fā)表在ACS photonics期刊上。

論文鏈接:

感謝分享pubs.acs.org/doi/10.1021/acsphotonics.2c00155

高性能量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLEDs)由于其優(yōu)良得光電特性,有望在顯示和固態(tài)照明技術(shù)方面獲得長期發(fā)展。需要特別指出得是,鎘基量子點(diǎn)(Cd-QDs)(如CdSe、CdS等)在許多發(fā)光材料中表現(xiàn)強(qiáng)勁,電致發(fā)光(EL)效率已達(dá)到理論極限30.9%。盡管如此,鎘對人類和環(huán)境得毒性嚴(yán)重阻礙了以Cd量子點(diǎn)為發(fā)射體得QLEDs得進(jìn)一步開發(fā)和商業(yè)化。同時(shí),由于量子點(diǎn)得深能帶和豐富得缺陷態(tài),實(shí)現(xiàn)高效率得藍(lán)光發(fā)射,尤其是深藍(lán)光發(fā)射(EL<450 nm),QLEDs已經(jīng)成為一個(gè)主要問題。因此,實(shí)現(xiàn)無鎘和高效深藍(lán)色排放這兩個(gè)目標(biāo)既緊迫又具有挑戰(zhàn)性。

ZnSe基量子點(diǎn)被認(rèn)為是最有前途得無鎘藍(lán)色量子點(diǎn)系統(tǒng)。然而,選擇載流子傳輸材料對于調(diào)整ZnSe基量子點(diǎn)得寬能帶以實(shí)現(xiàn)良好得電荷傳輸特性,從而獲得高效發(fā)光至關(guān)重要。高電子遷移率得ZnO納米顆粒和與量子點(diǎn)得良好能級對準(zhǔn),顯示出優(yōu)越得電子注入能力,是最常用得電子傳輸層(ETL)。在深藍(lán)色QLED中,PVK常用作空穴傳輸層(HTL),但其空穴遷移率落后于氧化鋅三個(gè)數(shù)量級。同時(shí),PVK和量子點(diǎn)之間得大空穴注入勢壘阻礙了有效得空穴注入,導(dǎo)致器件運(yùn)行期間電子過注入,從而導(dǎo)致嚴(yán)重得電荷注入不平衡。(文:愛新覺羅星)

圖1。(a)Sn得XPS光譜。(b)根據(jù)ICP-OES數(shù)據(jù)計(jì)算得錫實(shí)際含量。(c)XRD圖譜。(d)得平均粒徑變化TEM結(jié)果(e)和(f)得晶體結(jié)構(gòu)示意圖以及相應(yīng)得M?O鍵長數(shù)據(jù)。

圖2。(a)UPS光譜,(b)Tauc圖,以及(c)譜帶排列(d)摻雜前得能帶結(jié)構(gòu)(e)在摻錫之后。(f)電流密度?純電子器件和純空穴器件得電壓特性。

圖3。(a)電流密度?亮度?電壓特性。(b)這些器件得亮度相關(guān)EQE和電流效率。(c)QLEDs在恒定電流下得運(yùn)行穩(wěn)定性。(d)施加電壓為6 V時(shí)得EL光譜。(e)提出了這些深藍(lán)色發(fā)光器件得載流子注入和復(fù)合機(jī)制。

來自互聯(lián)網(wǎng)感謝對創(chuàng)作者的支持“材料科學(xué)與工程”。歡迎感謝請聯(lián)系,未經(jīng)許可謝絕感謝至其他網(wǎng)站。

 
(文/付小洋)
打賞
免責(zé)聲明
本文為付小洋推薦作品?作者: 付小洋。歡迎轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載請注明原文出處:http://biorelated.com/news/show-304565.html 。本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn),本站未對其內(nèi)容進(jìn)行核實(shí),請讀者僅做參考,如若文中涉及有違公德、觸犯法律的內(nèi)容,一經(jīng)發(fā)現(xiàn),立即刪除,作者需自行承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。涉及到版權(quán)或其他問題,請及時(shí)聯(lián)系我們郵件:weilaitui@qq.com。
 

Copyright ? 2016 - 2023 - 企資網(wǎng) 48903.COM All Rights Reserved 粵公網(wǎng)安備 44030702000589號

粵ICP備16078936號

微信

關(guān)注
微信

微信二維碼

WAP二維碼

客服

聯(lián)系
客服

聯(lián)系客服:

在線QQ: 303377504

客服電話: 020-82301567

E_mail郵箱: weilaitui@qq.com

微信公眾號: weishitui

客服001 客服002 客服003

工作時(shí)間:

周一至周五: 09:00 - 18:00

反饋

用戶
反饋