12月11日消息，據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院自家消息，該學(xué)院教授周鵬、研究員包文中及信息科學(xué)與工程學(xué)院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝，研發(fā)出性能優(yōu)異得異質(zhì) CFET 技術(shù)。相關(guān)成果已經(jīng)發(fā)表于《自然 — 電子學(xué)》雜志上。

簡單來說，研究人員創(chuàng)新地設(shè)計出了一種晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，可以在相同得工藝節(jié)點下，實現(xiàn)器件集成密度翻倍，從而獲得卓越得電學(xué)性能。

▲ 硅基二維疊層晶體管得概念、晶圓級制造與器件結(jié)構(gòu) （圖源：復(fù)旦大學(xué)自己）

自家表示，極紫外光刻設(shè)備復(fù)雜，在現(xiàn)有技術(shù)節(jié)點下能夠大幅提升集成密度得三維疊層互補晶體管 (CFET) 技術(shù)價值凸顯，但全硅基 CFET 得工藝復(fù)雜度高且性能在復(fù)雜工藝環(huán)境下退化嚴重。

據(jù)介紹，這種硅基二維互補疊層晶體管利用成熟得后端工藝將新型二維材料集成在硅基芯片上，并利用兩者高度匹配得物理特性實現(xiàn) 4 英寸大規(guī)模三維異質(zhì)集成互補場效應(yīng)晶體管。

這種技術(shù)可以實現(xiàn)了晶圓級異質(zhì) CFET 技術(shù)。相比于硅材料，二維原子晶體得單原子層厚度使其在小尺寸器件中具有優(yōu)越得短溝道控制能力。該技術(shù)將進一步提升芯片得集成密度，滿足高算力處理器，高密度存儲器及人工智能等應(yīng)用得發(fā)展需求。

感謝：芯智訊-林子 近日：復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院