介質(zhì)損耗角正切的測(cè)量方法很多，從原理上來(lái)分，可分為平衡測(cè)量法和角 差測(cè)量法兩類(lèi)。傳統(tǒng)的測(cè)量方法為平衡測(cè)量法，即高壓西林電橋法。由于技 術(shù)的發(fā)展和檢測(cè)手段的不斷完善，角差測(cè)量法使用的越來(lái)越普遍。

當(dāng)絕緣受潮、老化時(shí)，有功電流將增大，tgδ也增大。通過(guò)測(cè)tgδ可以反映 出絕緣的分布性缺陷。如果缺陷是集中性的，有時(shí)測(cè)tgδ就不靈敏，這是 因?yàn)榧行匀毕轂榫植康模梢园呀橘|(zhì)分為缺陷和無(wú)缺陷的兩部分；無(wú)缺 陷的部分為R1和C1的并聯(lián)；有缺陷部分為R2和C2的并聯(lián)。

則：

缺陷部分占的比例很小時(shí)，(C2/C)tgδ就很小，所以測(cè)整體 tgδ時(shí)，就不易發(fā)現(xiàn)局部缺陷。

在《電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》中對(duì)電機(jī)、電纜等絕緣，因?yàn)槿毕莸募?中性及體積較大，通常不做此項(xiàng)試驗(yàn)；而對(duì)套管、電力變壓器、互感器、 電容器等則做此項(xiàng)試驗(yàn)。

我國(guó)目前使用的測(cè) tgδ值的試驗(yàn)裝置有西林電橋（下圖給出了QS1西林電橋的 三種試驗(yàn)接線），M型介質(zhì)試驗(yàn)器，還有P5026M型交流電橋、GWS-1型光導(dǎo)微機(jī)介質(zhì)損耗測(cè)試儀等，具體的使用方法可參見(jiàn)制造廠說(shuō)明。本文主要介紹西林電橋法測(cè)量。

西林電橋的兩個(gè)高壓橋臂，分別由試品ZN及無(wú)損耗的標(biāo)準(zhǔn)電容器CN組成； 兩個(gè)低壓橋臂，分別由無(wú)感電阻R3及無(wú)感電阻R4與電容C4并聯(lián)組成，如圖所示。各橋臂的導(dǎo)納為：

調(diào)節(jié)R3、C4使電橋達(dá)到平衡時(shí)，應(yīng)滿(mǎn)足：

解此方程，實(shí)部、虛部分別相等，可得

當(dāng)tgδ<0.1,誤差允許不大于1 %時(shí)，上式可改寫(xiě)為

高壓西林電橋是用于工頻高壓，于是ω=2πf=100π是固定的；同時(shí)電橋中 的R4也是是固定的，這時(shí)

式中C4的單位是F,若C4以F計(jì)則上式可寫(xiě)為

式中k=F-1

于是C4就可以直接分度為tgδ，在西林電橋上tgδ是直讀的。Cx是按R3的 讀數(shù)，通過(guò)式子計(jì)算得出。CN—般都用100pF,個(gè)別也有用50pF或 1000pF,但都是固定已知值。

高壓西林電橋的高壓橋臂的阻抗比對(duì)應(yīng)的低壓臂阻抗大得多，所以電橋 上施加的電壓絕大部分都降落在高壓橋臂上，只要把試品和標(biāo)準(zhǔn)電容器放在 高壓保護(hù)區(qū)，用屏蔽線從其低壓端連接到低壓橋臂上，則在低壓橋臂上調(diào)節(jié) R3和C4就很安全，而且測(cè)量準(zhǔn)確度較高，但這種方法要求被試品高低壓端均對(duì)地絕緣。

QS1型西林電橋原理接線

（a） 正接線 （b）反接線 （c）對(duì)角線接線

Zx—被測(cè)絕緣阻抗；CN—標(biāo)準(zhǔn)電容；R3—可變電阻；C4—可變電容；G—檢流計(jì)

圖(a)正接線用于兩極對(duì)地絕緣的設(shè)備，用于試驗(yàn)室或繞組間測(cè) 。

圖(b)反接線用于現(xiàn)場(chǎng)被試設(shè)備為一極接地的設(shè)備，要求電橋有足夠的絕緣。由于R3和C4處于高電位，為保證操作的安全應(yīng)采取一定的措施。一個(gè)辦法是將電橋本體和操作者一起放在絕緣臺(tái)上或放在一個(gè)叫法拉第籠的 金屬籠里對(duì)地絕緣起來(lái)，使操作者與R3、C4處于等電位。另一種辦法是人 通過(guò)絕緣連桿去調(diào)節(jié)R3和C4?，F(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)通常采用反接線試驗(yàn)方法。

圖 (c) 對(duì)角線接線用于被試設(shè)備為一極接地的設(shè)備且電橋沒(méi)有足夠的絕緣。

電橋測(cè)試中的注意事項(xiàng)：

在電橋測(cè)試中，有些問(wèn)題往往容易被忽視，使測(cè)量數(shù)據(jù)不能反映被試設(shè)備 的真實(shí)情況，常被忽視的問(wèn)題有：