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車用功率MOSFET遇「散熱」挑戰(zhàn)

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2023-04-29 16:12:23    作者:付美曼    瀏覽次數(shù):129
導(dǎo)讀

車輛可用于部署技術(shù)方案得空間通常非常狹小,這主要是因為大部分可用空間都留給了座艙,電子系統(tǒng)則塞在剩余空間里。本文將介紹半導(dǎo)體封裝層面得創(chuàng)新如何在改善現(xiàn)代汽車應(yīng)用中得熱管理方面取的巨大進展。隨著車輛轉(zhuǎn)向

車輛可用于部署技術(shù)方案得空間通常非常狹小,這主要是因為大部分可用空間都留給了座艙,電子系統(tǒng)則塞在剩余空間里。

本文將介紹半導(dǎo)體封裝層面得創(chuàng)新如何在改善現(xiàn)代汽車應(yīng)用中得熱管理方面取的巨大進展。隨著車輛轉(zhuǎn)向電力驅(qū)動,以前得許多機械或液壓系統(tǒng)被電驅(qū)動取代,現(xiàn)今車輛上得大功率轉(zhuǎn)換量顯著升高。猥瑣提高這些新型電氣系統(tǒng)得整體效率,尤其是猥瑣增加車輛得行駛里程,業(yè)界投入了巨大努力和大量預(yù)算。

對系統(tǒng)設(shè)計人員來說,更高得效率還有一個好處,那就是產(chǎn)生得廢熱顯著減少。從熱管理得角度來看,這意味著專業(yè)減少散熱器或完全無需散熱器,進而削減方案得尺寸、重量和成本。事實上,任何電源工程師都知道,消除熱量得蕞好辦法是一開始就不產(chǎn)生熱。其次是確保任何浪費得能量都盡專家通過直接得路徑釋放到環(huán)境中。雖然碳化硅(SiC)之類得寬能帶隙技術(shù)已經(jīng)在效率提升方面取的了巨大得飛躍,但沒有(專家永遠不會有)一種功率組件不會引起一些能量損耗。

半導(dǎo)體得常規(guī)散熱方法

在功率應(yīng)用中,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)往往是表面貼裝組件(SMD),如SO8FL、u8FL和LFPAK封裝類型。SMD成為一家技術(shù)得原因在于:它具備良好得功率能力,能夠方便地自動放置和焊接,并且圖片實現(xiàn)緊湊得方案。然而,SMD元件得散熱并不理想,因為其熱傳播路徑通常要通過印刷電路板(PCB)(圖1)。

▲圖1 常規(guī)散熱方法,熱量需要通過PCB傳輸?shù)缴崞?/p>

在常規(guī)組件中,引線框架(包括裸露漏極焊盤)直接焊接到PCB上得銅基底,進而提供從芯片到PCB得電連接和熱路徑。這是與PCB得獨家直接電熱連接,因為組件得其余部分被封閉在模塑中,僅透過對流散熱到周圍空氣中。

采用這種方法時,組件得熱傳遞效率嚴重依賴于PCB得特性,如銅基底得面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是否連接到散熱器,都是如此。由于熱路徑受限,并且PCB得低熱導(dǎo)率妨礙散熱,因此組件得蕞大功率能力受到限制。

頂部散熱解決過熱問題

猥瑣解決散熱問題, 廠商如安森美(onsemi)開發(fā)了一種MOSFET封裝,讓引線框架(漏極)在封裝得頂部暴露出來。透過頂部散熱(Top Cool)對應(yīng)用布局/空間和熱傳遞都有好處(圖2)。采用傳統(tǒng)方法對功率MOSFET進行散熱,雖然能實現(xiàn)相當緊湊小巧得方案,但出于散熱考慮,PCB得下側(cè)不能放置其他組件。這種方法一般需要較大得PCB來容納所有必要得組件。

圖2 頂部散熱組件將散熱器置于上方以改善布局和熱性能

頂部散熱組件得熱路徑向上,因此散熱器被放置在MOSFET上方,最優(yōu)在下側(cè)布置功率元件、柵極驅(qū)動器和其他組件,從而專業(yè)使用較小得PCB。這種更緊湊得布局還使的柵極驅(qū)動走線專業(yè)更短,這對于高頻工作是個優(yōu)勢。

此外,由于不再要求熱量通過PCB,因此PCB本身將保持較低溫度水平,MOSFET周圍得組件將在較低溫度下工作,這有利于提高其可靠性。

頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢外,還具有明顯得散熱優(yōu)勢,因為這種封裝最優(yōu)熱量直接耗散到組件得引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率(通常在100~210W/mk之間),因此最常用得散熱器是鋁制得。與通過PCB得常規(guī)散熱相比,鋁或類似金屬大大降低了熱阻,進而提供更好得熱回應(yīng)。

除了提高熱導(dǎo)率外,散熱器還提供更大得熱質(zhì)量,這有助于避免飽和,提供更大得熱時間常數(shù),因為頂部安裝得散熱器可根據(jù)應(yīng)用需求來確定適當?shù)贸叽?。頂部散熱封裝擁有直接通過高熱質(zhì)量散熱器進行散熱得優(yōu)勢,因此其熱回應(yīng)(以每瓦溫升來衡量)會更好。在接面溫度升幅一定得情況下,更好得熱響應(yīng)將圖片更高功率運行。最終,對于相同得MOSFET芯片,采用頂部散熱封裝得芯片比采用標準SMD封裝得芯片將擁有更高得電流和功率能力。

頂部散熱N溝道MOSFET

廠商如安森美開發(fā)了一系列頂部散熱組件,采用改進LFPAK 5×7封裝,尺寸僅5mm×7mm。新得頂部散熱封裝被命名為TCPAK57,上側(cè)具有16.5mm2散熱焊盤,熱量專業(yè)直接耗散到散熱器中。

在內(nèi)部,TCPAK57組件具有用于源極和漏極連接得銅夾。它取代了線焊,最優(yōu)以極小得電阻傳導(dǎo)大電流,并構(gòu)成有效得熱連接通向上側(cè)焊盤。新器件提供高功率應(yīng)用所需得電氣效率,RDS(ON)值低至1 mΩ。

汽車功率設(shè)計應(yīng)注重熱管理

猥瑣實現(xiàn)汽車產(chǎn)業(yè)中得設(shè)計目標,功率設(shè)計中得熱管理是重要基礎(chǔ)。MOSFET @分立功率元件得常規(guī)散熱方法讓熱量通過PCB傳遞到散熱器。然而,這并不是理想得熱路徑,使的組件性能受到影響。

為此,一種新得封裝形式是將散熱焊盤移至頂部,這樣散熱器專業(yè)直接焊接到組件上。這不僅改善了MOSFET得散熱,還專業(yè)在PCB得下側(cè)布置組件,進而提高汽車@關(guān)鍵應(yīng)用得功率密度。

本文感謝作者分享為安森美汽車功率分立組件產(chǎn)品線總監(jiān)

本文近日:芯TIP綜合自新電子

 
(文/付美曼)
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