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西部數(shù)據(jù)試產(chǎn)112層3D NAND產(chǎn)能提升迅速

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2020-02-03 08:08:24    瀏覽次數(shù):59
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原標題:西部數(shù)據(jù)試產(chǎn)112層3D NAND:產(chǎn)能提升迅速 來源:中關村在線近日,根據(jù)報道,西部數(shù)據(jù)宣布已經(jīng)與合作伙伴鎧俠成功研發(fā)出第五代3D NAND技術BiCS5,采用112層堆疊,鞏固其在業(yè)內(nèi)的領

原標題:西部數(shù)據(jù)試產(chǎn)112層3D NAND:產(chǎn)能提升迅速 來源:中關村在線

近日,根據(jù)報道,西部數(shù)據(jù)宣布已經(jīng)與合作伙伴鎧俠成功研發(fā)出第五代3D NAND技術BiCS5,采用112層堆疊,鞏固其在業(yè)內(nèi)的領先地位。

根據(jù)最新消息顯示,BiCS5架構(gòu)主要基于TLC和QLC技術,使產(chǎn)品在成本更優(yōu)化的前提下,擁有更出色的容量,性能和可靠性。BiCS5單顆Die容量可達1.33Tb,將在2020年下半年大規(guī)模生產(chǎn)。

西部數(shù)據(jù)稱,目前已經(jīng)開始初步生產(chǎn)容量為512Gb的BiCS5 TLC產(chǎn)品,且基于該新技術的消費類產(chǎn)品已經(jīng)開始發(fā)售。預計到2020年下半年,BiCS5技術產(chǎn)品將大規(guī)模生產(chǎn),屆時將會推出一系列基于TLC、QLC技術的不同容量產(chǎn)品,其中單顆Die容量可達1.33Tb。

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(文/小編)
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