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臺積電首推2納米制程技術_或將于2025年量產

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2022-06-24 01:29:13    作者:葉紅海    瀏覽次數(shù):34
導讀

臺灣《聯(lián)合報》6月145分鐘前道稱,臺積電于美國當?shù)貢r間16日舉辦2022年北美技術論壇,首度推出采用納米片晶體管之下一世代先進2納米(N2)制程技術,以及支援N3與N3E制程得獨特TSMC FINFLEX技術,外界推測其將成為全

臺灣《聯(lián)合報》6月145分鐘前道稱,臺積電于美國當?shù)貢r間16日舉辦2022年北美技術論壇,首度推出采用納米片晶體管之下一世代先進2納米(N2)制程技術,以及支援N3與N3E制程得獨特TSMC FINFLEX技術,外界推測其將成為全球第1家率先提供2納米制程代工服務得晶圓廠。

臺積電在北美技術論壇揭示以下主要技術焦點:支援N3及N3E得TSMC FINFLEX技術。這項技術平臺,除了涵蓋臺積電即將于今年下半年量產得3納米(N3)技術,并將搭配創(chuàng)新得 TSMC FINFLEX架構。

據(jù)了解,TSMC FINFLEX技術,是在開發(fā)3納米時,同時讓2納米(N2)獲得重大突破。這項技術提供多樣化得標準元件選擇:3-2鰭結構支援超高效能、2-1 鰭結構支援可靠些功耗效率與晶體管密度、2-2鰭結構則是支援平衡兩者得高效效能。

臺積電表示,TSMC FINFLEX架構,能夠精準協(xié)助客戶完成符合其需求得系統(tǒng)單晶片設計,各功能區(qū)塊采用允許化得鰭結構,支援所需得效能、功耗與面積,同時整合至相同得芯片上。

臺積電強調,在相同功耗下,2納米得速度增快10~15%,或在相同速度下,功耗降低25~30%,開啟了高效效能得新紀元。

2納米采用納米片晶體管架構,使其效能及功耗效率提升一個世代,協(xié)助臺積客戶實現(xiàn)下一代產品得創(chuàng)新。除行動運算得基本版本,2納米技術平臺也涵蓋高效能版本及完備得小芯片(chiplet)整合解決方案,并預定2025年開始量產。

除臺積電外,三星和英特爾也在布局2納米芯片制造。其中,三星芯片代工業(yè)務得高管曾在去年10月透露,該公司有望在2025 年下半年使用其2納米制造工藝量產芯片。英特爾則在今年4月透露,預計下一代Intel 18A制程(相當于1.8納米)將提前在2024年下半年投產。

 
(文/葉紅海)
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