電子元器件，儀器儀表
企業(yè)會員
品牌： |
Hakuto |
所在地： |
廣東 深圳市 |
起訂： |
≥1 臺 |
供貨總量： |
100 臺 |
有效期至： |
長期有效 |
均勻性： |
±5% |
硅片刻蝕率： |
20 nm/min |
離子源： |
? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
上海伯東日本原裝進口小型 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 配置使用美國 KRI Φ8cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺: 直接冷卻(水冷), 0~90度旋轉.
Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 主要優(yōu)點
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發(fā)研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國 KRI 考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規(guī)格:
真空腔 | 1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
離子源 | ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
離子束入射角 | 0 Degree～± 90 Degree |
極限真空 | ≦1x10-4 Pa |
蝕刻均勻性 | 一致性: ≤±5% across 4” |
| 蝕刻速率 | 20 nm/min |
Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 通不同氣體的蝕刻速率:
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