創(chuàng)新型車規(guī)級連接器,汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&…
企業(yè)會員
產(chǎn)品價(jià)格詢價(jià)
產(chǎn)品品牌未填
最小起訂≥1
供貨總量10
瀏覽次數(shù)200
企業(yè)旺鋪http://qingjia.48903.com/
更新日期2024-06-09 14:35
會員級別:企業(yè)會員
身份認(rèn)證:
我的勛章: [誠信檔案]
企業(yè)二維碼: 企業(yè)名稱加二維碼
品牌: |
未填 |
所在地: |
廣東 深圳市 |
起訂: |
≥1 |
供貨總量: |
10 |
有效期至: |
長期有效 |
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器!-傾佳電子(Changer Tech)*分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT光伏逆變器,實(shí)現(xiàn)更高的光伏逆變器效率,更小的光伏逆變器體積重量
!更低的光伏逆變器成本!
隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用基本公司碳化硅
MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),
整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,未來已來!傾佳電子(Changer Tech)*分銷基本公司SiC碳化硅
MOSFET!
傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer
Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon
carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于光儲中的Boost、T型三電平、DCDC等高開關(guān)頻率拓?fù)洹?/span>
組串式逆變器是基于模塊化概念基礎(chǔ)上的,每個光伏組串通過一個逆變器,多塊電池板組成一個組串,接入小功率單
相逆變器在直流端具有zui大功率峰值跟蹤,在交流端并聯(lián)并網(wǎng),已成為現(xiàn)在全球市場上zui流行的逆變器。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
采用DC-DC-BOOST升壓(MPPT)和DC-AC逆變兩級電力電子器件變換,防護(hù)等級一般為IP65。體積較小,可室
外壁掛式安裝。
組串光伏逆變器有多路MPPT,每路MPPT器件選型為基本?B2M040120Z或B3M040120Z+基本?碳化硅肖特基二極
管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.
MPPT選擇基本?SiC碳化硅功率器件方案的邏輯:
組串式逆變器早期舊方案中的開關(guān)管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯(lián)或者75A/1200V IGBT,升壓二極管是1200V
60A Si FRD,開關(guān)管的開關(guān)頻率只有16kHz~18kHz
而新方案選用基本?SiC碳化硅MOSFET開關(guān)B2M040120Z或B3M040120Z頻率為40-60kHz,大幅度減小了電感等磁
性元件的體積和成本,并且基本?SiC碳化硅功率器件的殼溫低于IGBT方案,提升了系統(tǒng)可靠性。
基本公司SiC碳化硅MOSFET組串式逆變器DC-AC中的應(yīng)用 SiC MOSFET在三電平并網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z適用于組串式逆變器DC-AC中T型三電平的豎管。逆
變器開關(guān)頻率通常較高,同時(shí)其工作原理決定了開關(guān)損耗占比較大,所以豎管需要具有低的開關(guān)損耗;基本公司
B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計(jì)快速開關(guān)單極型器件,替代升級雙
極型 IGBT (絕緣柵雙極晶體管)?;竟綛2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到
更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過來也降低了總體系統(tǒng)成本。T型三電平橫管可
以使用基本公司混合碳化硅器件。
通過使用基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以很容易地從光伏三電平并網(wǎng)逆變器整體效率的提高中計(jì)算出能源使用和
成本節(jié)約;與IGBT單管解決方案相比,基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以將儲能變流器PCS或者光伏三電平并網(wǎng)逆
變器的損耗減半,并提供通常2%的額外能量和運(yùn)行時(shí)間?;竟維iC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040
120Z的單位成本已經(jīng)接近IGBT單管。因?yàn)榛竟維iC碳化硅MOSFET單管更高的開關(guān)頻率允許光伏三電平并網(wǎng)逆變
器使用更小、更便宜的磁性元件和散熱器,所以在系統(tǒng)層面上,光伏三電平并網(wǎng)逆變器硬件成本會大大降低。
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越
接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC
MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會下降,從而全面減
少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右
,可以將開關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時(shí)保持zui高結(jié)溫低于zui大規(guī)定值。
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時(shí)也為了使zui終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電
子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET*成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET
替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
傾佳電子(Changer Tech)*分銷基本?(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅
MOSFET模塊,BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?SiC碳化
硅MOSFET模塊,BASiC基本?I型三電平IGBT模塊,BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?混合
SiC-IGBT單管,BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,單通道
隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本?
混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機(jī),儲能變流器,
儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機(jī),PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平
LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機(jī)、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管
理電動壓縮機(jī)驅(qū)動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,
變頻器,變槳伺服驅(qū)動*電源,高頻逆變焊機(jī),高頻伺服驅(qū)動,AI服務(wù)器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機(jī)房UPS等
領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,傾佳電子(Changer Tech)全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
傾佳電子(Changer Tech)-*汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)
電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下,融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管
理技術(shù)和儲能管理技術(shù),以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的*化,以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展
。傾佳電子(Changer Tech)-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向,將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,積極
參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài),為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器
與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品,包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和
FFC-FPC連接器,涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器,用于地
下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件:車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,大容量
RC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET模塊,IGBT模塊,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,IPM模塊,IGBT單管,混合IGBT單
管,三電平IGBT模塊,混合IGBT模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC
碳化硅MOSFET,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOS
FET,國產(chǎn)氮化鎵GaN,隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品,傾佳電子(Changer Tech)全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè),新能源
汽車電控系統(tǒng),電力電子裝備,新能源汽車充電樁系統(tǒng),全液冷超充,高功率密度風(fēng)冷充電模塊,液冷充電模塊,
歐標(biāo)充電樁,車載DCDC模塊,國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器,分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、
綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲,智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用,傾佳電子(Changer Tech)為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、
零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗,從而為實(shí)現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻(xiàn),邁向數(shù)字能源新
時(shí)代!Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power
generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing
to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!
還沒找到您需要的電子元器件產(chǎn)品?立即發(fā)布您的求購意向,讓電子元器件公司主動與您聯(lián)系!
立即發(fā)布求購意向本網(wǎng)頁所展示的有關(guān) 深圳市傾佳電子有限公司 為你提供的“使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器”電子元器件價(jià)格、型號、圖片、廠家等信息。如有需要請撥打電話:13266663313。
信息及其他相關(guān)推薦信息,均來源于其對應(yīng)的企業(yè),信息的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由該信息的來源企業(yè)完全負(fù)責(zé)。企資網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
在您的合法權(quán)益受到侵害時(shí),歡迎您向weilaitui@qq.com郵箱發(fā)送郵件,或者進(jìn)入《網(wǎng)站意見反饋》了解投訴處理流程,我們將竭誠為您服務(wù),感謝您對企資網(wǎng)的關(guān)注與支持!
威創(chuàng)系列磁環(huán)線圈穩(wěn)定保護(hù)耐用抗干擾 威創(chuàng)系列濾波器穩(wěn)定保護(hù)耐用抗干擾 威創(chuàng)系列變壓器穩(wěn)定保護(hù)耐用儲能 德國HYDAC壓力傳感器 意大利ELCIS編碼器 ABB IGBT模塊5SNG 0900R120590 ABB IGBT模塊5SNG 0900R120500 ABB IGBT模塊5SNG 0600R120590 ABB IGBT模塊5SNG0600R120500 儲能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會加速替代IGBT